STMicroelectronics STH140N8F7-2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH145N8F7-2AG
Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH140N8F7-2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STH140N8F7-2 N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 80 V, 3-Pin H2PAK
Mosfet, N-Ch, 80V, 90A, H2Pak-2; |Stmicroelectronics STH140N8F7-2
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Power MOSFETs, 80V, 90A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
200W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 96nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 4mΩ@ 45A,10V 90A 6.34nF@40V H2PAK-2 SMD mount 4.8mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.34 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max4 mΩ
Rise Time51 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width15.8 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant