STMicroelectronics STGWT30H65FB
$ 1.528
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-10-11
LTD Date2021-04-11
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW30H65FB
IGBT 650V 30A 260W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIKP15N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGF15M65DF2
STGF15Mxx Series 650 V 15 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220FP
STMicroelectronicsSTGP15M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGWT30H65FB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IGBT 650V 30A 260W TO3PL / IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 260 W Through Hole TO-3P
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
260W 1.75V 650V 30A TO-3P 18.7mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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