STMicroelectronics STGW30H65FB

IGBT 650V 30A 260W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHS

Datasheet18 SeitenVor 5 Jahren

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Future Electronics

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGW30H65FB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IGBT 650V 30A 260W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Win Source
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP 650V 30A HIGH SPEED IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
ComSIT Distribution GmbH
IGBT, SINGLE, 650V, 60A, TO-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:260W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
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Bilder

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Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics