STMicroelectronics STGWT20H65FB
$ 1.256
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-15139-5-ND | 396 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGWT20H65FB | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | STGWT20H65FB | 0 | 900 | 9h | ||||||||
| Future Electronics | STGWT20H65FB | 0 | 1K | Tube | ||||||||
| Arrow Electronics | STGWT20H65FB | 0 | 900 |
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW20H65FB
IGBT 650V 40A 168W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 40 A 168 W Through Hole TO-247-3
InfineonIKP15N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGW30H65FB
IGBT 650V 30A 260W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGWT20H65FB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
IGBT 650V 40A 168W TO3P / IGBT Trench Field Stop 650 V 40 A 168 W Through Hole TO-3P
Igbt, Single, 650V, 40A, To-3P; Dc Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.55V; Power Dissipation Pd:168W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-3P; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGWT20H65FB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation168 W
Min Operating Temperature-55 °C
Datenblätter und Dokumente
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