STMicroelectronics STGW25M120DF3
$ 2.49
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STGW25M120DF3 | 1.200 | 600 | 12h | ||||||||
| Future Electronics | STGW25M120DF3 | 600 | 600 | Tube | ||||||||
| DigiKey | 497-15058-5-ND | 1.008 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGW25M120DF3 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Arrow Electronics | STGW25M120DF3 | 0 | 600 |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.90%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGW25M120DF3 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STGW25M120DF3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRG7PH35UDPBF
TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTGW25H120F2
STGW25H120F2 Series 1200 V 50 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
InfineonIRG7PH35UD1PBF
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
STMicroelectronicsSTGWA25H120DF2
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW25M120DF3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Igbt |Stmicroelectronics STGW25M120DF3
IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of
375W 1.85V 2.3V@ 15V,25A 50A TO-247-3
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.90%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.85 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current25 A
Forward Voltage2.95 V
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time265 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGW25M120DF3 herunter.