STMicroelectronics STGWA25H120DF2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW25S120DF3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG7PH35UD-EP
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with UltraFast Soft Recovery Diode
InfineonIRG7PH35UDPBF
TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGWA25H120DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
375W 50A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
STGWA25H120: 1200 V 50 A 375 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Trench gate field-stop IGBT, TO-247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
Igbt |Stmicroelectronics STGWA25H120DF2
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
Discrete Diode 2.1V 2.6V@15V 25A 50A TO-247-3 TH
IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Forward Current25 A
Forward Voltage3.8 V
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time303 ns
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