STMicroelectronics STGWA25M120DF3
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGWA25M120DF3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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Igbt |Stmicroelectronics STGWA25M120DF3
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375W 1.85V 2.3V@ 15V,25A 50A TO-247 15.8mm*5mm*21mm
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Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.85 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current25 A
Forward Voltage2.95 V
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time265 ns
Schedule B8541290080
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