Infineon IRG7PH35UD1PBF

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
$ 6.8
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRG7PH35UD1PBF0100Bulk
6h
FarnellIRG7PH35UD1PBF01
5h
Win SourceWS-IRG7PH35UD1PBF6.0007
6h
Worldway ElectronicsIRG7PH35UD1PBF9.8067Tube
5h
AnlinkdaIRG7PH35UD1PBF13.777
13h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRG7PH35UD1PBF herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren

Newark

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRG7PH35UD1PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

onsemiFGH25T120SMD-F155
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Details
STMicroelectronicsSTGW25M120DF3
Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Details
STMicroelectronicsSTGW25H120F2
STGW25H120F2 Series 1200 V 50 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Details
InfineonIRG4PH40UPBF
IRG4PH40U Series 1200 V 21 A N-Channel UltraFast Speed IGBT - TO-247AC
Details
onsemiNGTB25N120FL2WG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Details
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG7PH35UD1PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
International Rectifier
IGBT WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPL Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
ComSIT Distribution GmbH
IGBT,N CH,DIODE,1200V,50A,TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:179W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:179W
Farnell

Bilder

element14 APAC
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Rochester Electronics
International Rectifier

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG7PH35UD1PBF