STMicroelectronics STFU13N65M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFU13N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-Channel MOSFET 650V 10A 25W(Tc) 4V@250µA 17nC@10V 430mΩ@5A,10V 590pF@100V TO-220FP TH 16.4mm × 10.4mm × 4.6mm
Power MOSFETs, 650V, 10A, TO-220FP ultra narrow leads, Tube
STMicroelectronics SCT
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STFU13N65M2
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max430 mΩ
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