STMicroelectronics STF13N65M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Single N-Channel 600 V 400 mOhm 32 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
VishaySIHF12N65E-GE3
E Series N Channel 650 V 380 mO 70 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
onsemiFCPF380N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF13N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 650 V 430 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
STF13N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 650V 430m¦¸@ 5A,10V 10A 590pF@100V TO-220FP 20mm
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 10A, 150Deg C, 25W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.37Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF13N65M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max430 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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