STMicroelectronics STF8N80K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF8NM60ND
N-channel 600 V, 0.59 Ω, 7 A, FDmesh͐2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
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N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF8N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.8 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 800 V 6 A 0.95 Ohm Zener-protected Mosfet - TO-220FP
STF8N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 16.5nC@ 10 V 1N 800V 950m¦¸@ 3A,10V 6A 450pF@100V TO-220FP 20mm
Mosfet, N-Ch, 800V, 6A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:6A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF8N80K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max950 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant