STMicroelectronics STF8NM60ND
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF10NM60ND
N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, TO-220FP FDmesh(TM) II Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF8NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.59 Ω, 7 A, FDmesh͐2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
600V 7A 700m´Î@10V3.5A 25W 5V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
N-CHANNEL 600 V, 0.59 OHM , 7 A, TO-220FP FDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance560 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max700 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant