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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF8NM60ND
N-channel 600 V, 0.59 Ω, 7 A, FDmesh͐2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
STMicroelectronicsSTF10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF12N60T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin (3+Tab) TO-220F T/R
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Current Rating10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rds On Max700 mΩ
Rise Time115 ns
Turn-Off Delay Time95 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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