STMicroelectronics STF7NM80
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF7NM80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 800 V 1.05 Ohm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Transistor N-Channel Power MOSFET 800V 6.5A
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.25A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):950mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:6.5A; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Pd:25W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.05 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant