STMicroelectronics STF7N80K5
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Stock
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422,463
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
6 A
5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.2 Ω
1.15 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
-
Power Dissipation
25 W
-
Input Capacitance
360 pF
270 pF
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP8NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.3 Ohm, 6.2 A, TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
onsemiFQPF8N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F / Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF7N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF7N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 13.4nC@ 10 V 1N 800V 1.2¦¸@ 3A,10V 6A 360pF@100V TO-220FP 20mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance360 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time8.3 ns
Turn-Off Delay Time23.7 ns
Turn-On Delay Time11.3 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant