STMicroelectronics STF9NM60N
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF9NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220FP MDmesh(TM) II Power MOSFET
STF9NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
6.5 A 600 V 0.745 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 6.5A, TO220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.63ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance745 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance452 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max745 mΩ
Resistance745 MΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time52.5 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant