STMicroelectronics STF28NM60ND
$ 4.232
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-14192-5-ND | 922 | 1 | Tube | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STF28NM60ND | 0 | 1 | Bulk | 9h | |||||||
| Avnet | STF28NM60ND | 0 | 1K | 19h | ||||||||
| Mouser | 511-STF28NM60ND | 834 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STF28NM60ND | 123 | 300 | Tube | 10h |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF28NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STF28NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP package
Low input capacitance and gate charge | MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Rise Time21.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time23.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant