Infineon IPA60R125CPXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-12-22
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
VishaySIHF30N60E-GE3
E Series N Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
VishaySIHF28N60EF-GE3
39W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 120nC@ 10 V 1N 600V 123m¦¸@ 14A,10V 28A 2.714nF@100V TO-220 16.12mm
STMicroelectronicsSTF34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA60R125CPXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
25 A 600 V 0.125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:25A; On State Resistance:0.125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:35W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation35 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen