Vishay SIHF28N60EF-GE3
$ 2.813
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHF28N60EF-GE3 | 0 | 1 | 35m | ||||||||
| Future Electronics | SIHF28N60EF-GE3 | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | SIHF28N60EF-GE3 | 0 | 1K | 10h | ||||||||
| TTI Asia | SIHF28N60EF-GE3 | Kontakt | 12h | |||||||||
| TTI Europe | SIHF28N60EF-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 11h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIHP28N60EF-GE3
250W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 120nC@ 10 V 1N 600V 123m¦¸@ 14A,10V 28A 2.714nF@100V TO-220AB 9.01mm
VishaySIHF30N60E-GE3
E Series N Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTF40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHF28N60EF-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
39W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 120nC@ 10 V 1N 600V 123m¦¸@ 14A,10V 28A 2.714nF@100V TO-220 16.12mm
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET 600V 123mOhms@10V 28A N-Ch MOSFET
600V, 28A, 0.123OHM, TO-200FP EF SERIES
MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance123 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.714 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max123 mΩ
Resistance123 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Datenblätter und Dokumente
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