STMicroelectronics STF26N60M2
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Authorized Distributors
5
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
165 mΩ
165 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
25 V
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
-
1.8 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
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STMicroelectronicsSTF28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
VishaySIHP23N60E-GE3
600V 23A 227W 158m´Î@10V12A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF26N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP / LCC converters, resonant converters
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30W(Tc) 25V 4V@ 250µA 1individualNChannel 600V 165mΩ@ 11A,10V 20A TO-220FP Through hole mounting
MOSFET DRVR 1-OUT 3-Pin TO-220 Tube
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STF26N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-220FP;
Power MOSFETs, 600V, 20A, TO-220FP, Tube
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max165 mΩ
Schedule B8541290080