Infineon IRFI540NPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.052Ohm; ID 20A; TO-220 Full-Pak; PD 54W
$ 0.712
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRFI540NPBF19450
23h
Newark
2
IRFI540NPBF1.4041
Arrow ElectronicsIRFI540NPBF3.8771
Future Electronics
2
IRFI540NPBF1.80050Tube
DigiKeyIRFI540NPBF-ND1.7661Tube

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 28 Jahren

Newark

DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRLI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 23A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
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InfineonIRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
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onsemiFQPF33N10L
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 100 V, 18 A, 52 mΩ, TO-220F
Details
onsemiFDPF3860T
In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin TO-220F ON Semiconductor FDPF3860T
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFI540NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.052Ohm;ID 20A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 0.052 Ohm 94 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Through Hole
Avnet
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Verical
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220FP Polarity: N Power dissipation: 42 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
N Channel Mosfet, 100V, 20A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:20A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFI540NPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
MOSFET, N, 100V, 18A, TO-220FP; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:110A; No. of Pins:3; Power Dissipation:42W; Power, Pd:42W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.8°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Isolation:2.5kV; Voltage, Vds Max:100V
Farnell

Bilder

Infineon
Newark
TME
Farnell
TME
element14 APAC
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
Distrelec
Jameco

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFI540N
  • IRFI540NPBF.
  • SP001566066