STMicroelectronics STD3NK60Z-1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTU3LN62K3
N-channel 620 V, 2.5 Ω , 2.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD3NK60Z-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin (3+Tab) IPAK Tube
STMICROELECTRONICS STD3NK60Z-1 Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
STD3NK60Z-1 N-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK
N-CHANNEL 600 V-3.3 OHM-2.4 A IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 3.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance3.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance311 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max3.6 Ω
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant