STMicroelectronics STD3NK50Z-1
$ 0.246
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD3NK50Z-1 | 3.000 | 75 | 6d | ||||||||
| Farnell | STD3NK50Z-1 | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Microchip USA | STD3NK50Z-1 | 2.974 | 300 | Tube | 6h | |||||||
| Win Source | WS-STD3NK50Z-1 | 5.600 | 175 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | STD3NK50Z-1 | 11.028 | 7 | Tube | 14h |
Datenblätter und Dokumente
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD3NK50Z-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
N-channel 500 V, 2.8 Ohm typ., 2.3 A SuperMESH Power MOSFET in an IPAK package
Ciiva
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 1.15 A, 2.8 ohm, TO-251AA, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N CH, 500V, 2.3A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.15A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:45W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:2.3A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:45W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance280 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max3.3 Ω
Rise Time13 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant