STMicroelectronics STU2N62K3
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTU3LN62K3
N-channel 620 V, 2.5 Ω , 2.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU2N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 3 Ohm, 2.2 A, IPAK SuperMESH3(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
45W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 15nC@ 10 V 1N 620V 3.6¦¸@ 1.1A,10V 2.2A 340pF@50V IPAK,TO-251
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 620V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Power MOSFETs, 620V, 2.2A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CH, 620V, 2.2A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance3.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance340 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max3.6 Ω
Resistance3.6 Ω
Rise Time4.4 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant