STMicroelectronics STD13NM60ND
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
-
3 V
Rds On Max
380 mΩ
360 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
109 W
90 W
Input Capacitance
845 pF
790 pF
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD13NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.32 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK package
STD13NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 600 V, 3-PIN DPAK
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Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance845 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation109 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation109 W
Rds On Max380 mΩ
Resistance380 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time9.6 ns
Turn-On Delay Time46.5 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant