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STMicroelectronics STD13NM60N

N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
$ 1.465
EOL
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Future Electronics
STD13NM60N
17.500
2500
Tape & Reel
USD
0,920
Newark
2
STD13NM60N
11.593
1
Cut Tape
USD
3,720
2,600
1,900
1,630
1,630
Verical
2
STD13NM60N
35.000
2500
USD
1,040
Arrow Electronics
2
STD13NM60N
1.600
1
USD
1,467
1,467
1,467
1,467
1,467
TME
2
STD13NM60N
518
1
USD
3,170
2,330
1,610
1,220
1,070
6h

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet24 SeitenVor 14 Jahren

element14 APAC

Future Electronics

Verical

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsSTD13NM60N
STMicroelectronicsSTD13NM60ND
Price @ 1000
$ 1.465
$ 2.26
Stock
918,281
314,910
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
360 mΩ
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
90 W
109 W
Input Capacitance
790 pF
845 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-23
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STD13NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronics
STD13NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 650 V, 3-PIN TO-252
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
90W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 30nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 360m¦¸@ 5.5A,10V 11A 790pF@50V DPAK£¬TO-252-3 SMD mount 2.63mm(height)
UnikeyIC
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Farnell

Bilder

TME
Farnell
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
RS APAC
Lanka Micro

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • STD13NM60N.