STMicroelectronics STB80NF03L-04-1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB100NF03L-03-1
N-channel 30 V, 0.0026 Ohm typ., 100 A StripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
onsemiISL9N303AS3
Discrete Commercial N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 75A, 0.0032 Ohms @ VGS = 10V, TO-262/I2PAK Package
InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPI075N15N3GXKSA1
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET / N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
InfineonIPI100N10S305AKSA1
100V, N-Ch, 5.1 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO262-3-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB80NF03L-04-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
POWER MOSFET N-CHANNEL 80A 30V 0.0035Ω I2PAK(TO-262)
N-CHANNEL 30V-0.0035 OHM-80A I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-60 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time270 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant