STMicroelectronics STB75NH02LT4
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
onsemiNTB75N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.7A Ta 75A Tc 75A 74.4W 18.4ns
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTB70NF03LT4
N-Channel 30V - 0.008Ohm - 70A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
InfineonIRL3103STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB75NH02LT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 24V 0.0062 Ohm 75A D2PAK STripFET III POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 24V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET Transistors N-Ch 24 Volt 75 Amp
60 A 24 V 0.014 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 24V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time200 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant