STMicroelectronics STB70NF03LT4
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
InfineonIRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRF3709SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.4Milliohms;ID 90A;D2Pak;PD 120W;VGS +/-20
onsemiNTB75N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.7A Ta 75A Tc 75A 74.4W 18.4ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB70NF03LT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30V - 0.008Ohm - 70A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
N-Channel 30 V 0.0095 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - D2PAK
100W(Tc) 18V 1V@ 250¦ÌA 30nC@ 5 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 35A,10V 70A 1.44nF@25V D2PAK 4.83mm
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 30V, 70A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:100W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:70A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:100W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:18V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Current Rating70 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation100 W
Rds On Max9.5 mΩ
Resistance9.5 mΩ
Rise Time165 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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