Infineon IRL3103STRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
onsemiNTB75N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.7A Ta 75A Tc 75A 74.4W 18.4ns
STMicroelectronicsSTB55NF03LT4
N-Channel 30V - 0.01 Ohm - 55A - D2PAK STripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL3103STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Single N-Channel 30 V 12 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level
Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 30V, 64A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Powe
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:12A; On Resistance, Rds(on):64mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:94W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Current Rating64 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity800
PackagingBulk
Power Dissipation83 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 MΩ
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time8.9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen