onsemi NTB4302G
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Stock
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94,442
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
74 A
74 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9.3 mΩ
9.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
2.4 nF
2.4 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTB75N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.7A Ta 75A Tc 75A 74.4W 18.4ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTB4302G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts N-Channel D2PAK
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 74A Tc 74A 80W 35ns
Trans MOSFET N-CH 30V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 74A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 30V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)74 A
Current Rating74 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max9.3 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen