STMicroelectronics STI76NF75
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Verwandte Teile
InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
onsemiHUF75545S3
75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA
STMicroelectronicsSTB80NF55L-08-1
N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB80NF55-06-1
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
InfineonIPP80N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 / N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI76NF75, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
N-channel 75 V, 0.0095 Ohm, 80 A I2PAKSTripFET II Power MOSFET
Ciiva
N-Channel 75V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Power MOSFETs, 75V, 80A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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