STMicroelectronics STB33N60DM2

N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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STMicroelectronics

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MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STB33N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK / N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
N-Channel 600 V 130 mOhm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 43nC@ 10 V 1N 600V 130m¦¸@ 12A,10V 24A 1.87nF@100V D2PAK,TO-263
MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics