STMicroelectronics STB33N60M2
$ 1.898
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB33N60M2 | 3.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB33N60M2 | 3.000 | 1K | |||||||||
| Rochester Electronics | STB33N60M2 | 16.202 | 1d | |||||||||
| DigiKey | 497-14973-1-ND | 1.060 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STB33N60M2 | 0 | 1 | Cut Tape |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB33N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.781 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time109 ns
Turn-On Delay Time16 ns
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