STMicroelectronics STB28N60M2
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Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB28N60M2 | 2.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB28N60M2 | 2.000 | 1K | |||||||||
| TME | STB28N60M2-STM-0 | 2.000 | 1K | 19h | ||||||||
| DigiKey | 497-14972-1-ND | 1.905 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB28N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB28N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
N-Channel 600 V 22 A 0.15 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
170W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 600V 150m¦¸@ 11A,10V 22A 1.44nF@100V D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max150 mΩ
Rise Time7.2 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns