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STMicroelectronics MJD3055T4

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.518
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Arrow Electronics
2
MJD3055T4
57.500
2500
USD
0,450
Verical
2
MJD3055T4
2.500
2500
USD
0,261
TME
2
MJD3055T4
0
1
USD
1,560
1,061
0,676
0,487
0,389
2h
Newark
2
MJD3055T4
0
5
Cut Tape
USD
1,630
0,721
0,533
0,436
DigiKey
3
497-7854-1-ND
4.831
1
Cut Tape
USD
1,710
1,080
0,721
0,518
0,414

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics MJD3055T4 herunter.

element14 APAC

Datasheet6 SeitenVor 24 Jahren

Newark

Nu Horizons

TME

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsMJD3055T4
onsemiMJD3055T4G
onsemiMJD3055T4G
Price @ 1000
$ 0.518
$ 0.37
$ 0.37
Stock
1,193,201
642,553
642,553
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-252
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
8 V
1.1 V
1.1 V
hFE Min
5
5
5
Power Dissipation
20 W
1.75 W
1.75 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJD3055T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
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Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
IHS
STMicroelectronics NPN Transistor, DPAK (TO-252) SMD, 10A Ic, 60V Vceo
UnikeyIC
MJD3055T4 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 10 A, 60 V, 3-PIN DPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
TRANSISTOR, BJT, NPN, 60V, 10A, TO-252-3;
Newark
STMicroelectronics NPNTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current10 A, maximum collector-emission voltage60 V
Unikeyic (ICkey)
TRANSISTOR, BJT, NPN, 60V, 10A, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 5hFE; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Farnell

Bilder

Distrelec
Augswan
TME
RS
DKO Electronshik
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD 3055T4
  • MJD3055T4.