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onsemi MJD3055T4G

10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
$ 0.37
Production
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
6
MJD3055T4G
2.370
1
Cut Tape
USD
1,280
1,280
0,585
0,441
0,389
Verical
MJD3055T4G
2.498
25
USD
0,295
0,295
0,295
Onlinecomponents.com
MJD3055T4G
0
100
Bulk
USD
0,541
0,309
0,278
DigiKey
3
MJD3055T4GOSCT-ND
24.947
1
Cut Tape
USD
1,270
0,798
0,525
0,370
0,370
Master Electronics
MJD3055T4G
0
100
USD
0,541
0,309
0,278

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet7 SeitenVor 13 Jahren

IHS

onsemi

Farnell

Electro Sonic

Bestandsverlauf

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+332%
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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMJD3055T4G
STMicroelectronicsMJD3055T4
STMicroelectronicsMJD3055T4
Price @ 1000
$ 0.37
$ 0.518
$ 0.518
Stock
572,576
822,848
822,848
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
8 V
8 V
hFE Min
5
5
5
Power Dissipation
1.75 W
20 W
20 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD3055T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
onsemi
60V 1.75W 20@4A,4V 10A NPN TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
MJD3055 Series 60 V 10 A SMT NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Trans Bjt Single, Npn, 60V, 10A; |Onsemi MJD3055T4G.
Newark
onsemi NPNTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current10 A, maximum collector-emission voltage60 V
UnikeyIC
TRANSISTOR, NPN, 60V, 10A, TO-252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 2MHz; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 5hFE; Transistor
Farnell

Bilder

Electro Sonic
Augswan
element14 APAC
RS APAC
TME
element14 APAC
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
Future Electronics
Farnell
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD3055T4G.