Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST27533304 | 90 | 1 | 1h | ||||||||
| Verical | RDD022N50TL | 90 | 90 | |||||||||
| Microchip USA | RDD022N50TL | 466 | 600 | 7d | ||||||||
| Classic Components | RDD022N50TL | 92 | 4d | |||||||||
| Worldway Electronics | RDD022N50TL | 27.393 | 7 | Tape & Reel | 7h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2027-03-31
LTD Date2027-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPD50R2K0CEBTMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFQD3N50CTF
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RDD022N50TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
20W(Tc) 30V 4.7V@1mA 6.7nC@ 10 V 1N 500V 5.4¦¸@ 1A,10V 2A 168pF@25V CPT-3 2.5mm
N-CHANNEL MOSFET 500V, 2A, 10V GATE DRIVE
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 5.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance5.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance168 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max5.4 Ω
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
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