Rochester Electronics BSM25GB120DN2

Trans IGBT Module N-CH 1200V 38A 200000mW 7-Pin 34MM-1
$ 33.13
Obsolete
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IHS

Datasheet10 SeitenVor 26 Jahren
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Bestandsverlauf

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Restocked

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-03-31
LTD Date2015-09-30

Verwandte Teile

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 23-Pin EASY1B-1 Tray
Trans IGBT Module N=-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B Tray
FULL-BRIDGE NPT IGBT POWER MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G

Beschreibungen

Beschreibungen von Rochester Electronics BSM25GB120DN2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 38A 200000mW 7-Pin 34MM-1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS;

Aliasnamen des Herstellers

Rochester Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Rochester Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ONSEMI (VIA ROCHESTER)
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • Triscend Corp
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSM 25 GB 120 DN2