Infineon BSM15GD120DN2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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Datasheet10 SeitenVor 26 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 23-Pin EASY1B-1 Tray
Infineon FP15R12W1T4B3BOMA1 Common Collector IGBT Module, 28 A 1200 V, 23-Pin EASY1B, PCB Mount
Trans IGBT Module N-CH 1200V 78A 400000mW 7-Pin 34MM
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 280000mW 16-Pin Case SP-3 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSM15GD120DN2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, SIX-PACK, 1200V, 15A, LONGPIN
CAP CER 33UF 16V X5R 1206

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA