Infineon FP15R12W1T4BOMA1
$ 25.892
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonFS75R12W2T4BOMA1
Infineon FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel Mount
MicrochipAPTGT35A120T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon FP15R12W1T4BOMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 23-Pin EASY1B-1 Tray
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
1200 V, 15 A three phase PIM IGBT module, AG-EASY1B-1, RoHS
Infineon SCT
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 28A ±20V Screw Tray
Avnet Japan
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module, 28 A 1200 V
130W 1.85V hex 1.2KV 28A 62.8mm*33.8mm*12mm
IGBT, LOW POW, 1200V, 15A, EASYPIM; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:130W
EasyPIM™ 1B 1200 V, 15 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. Also available with pre-applied Thermal Interface Material and as variation with PressFIT mounting technology: FP15R12W1T4_B11.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins23
Number of Terminals23
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current28 A
Max Collector Current28 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements7
Package Quantity24
Power Dissipation130 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time195 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Dimensions
Height12.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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