Infineon IRGS14C40LPBF

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

IHS

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRGS14C40LPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
IRGS14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - D2PAK-3
Tube Surface Mount N-CHANNEL Single IGBT Transistor 1.75V @ 5V 14A 14A 125W 2.8ns
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
430V Low-Vceon Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: D2-PAK Collector-emitter breakdown voltage: 430 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 2800 ns Power dissipation: 125 W
IGBT, D2PAK; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.4V; Power Dissipation Pd: 125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 430V; Transistor Case Style: TO-263; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.75V; Power Dissipation, Pd:125W; Package/Case:TO-263 ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.4V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:430V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:20A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Rise Time:2.8ns; SMD Marking:GS14C40L; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:400V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRGS14C40LPBF
  • IRGS 14C40LPBF
  • IRGS14C40L
  • SP001533072