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onsemi RFD3055LESM9A

N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 11A, 107mΩ
$ 0.314
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Future Electronics
3
RFD3055LESM9A
67.500
2500
Tape & Reel
USD
0,615
Newark
3
RFD3055LESM9A
1.236
1
Cut Tape
USD
0,625
0,625
0,454
0,398
0,370
Master Electronics
RFD3055LESM9A
4.600
100
USD
0,536
0,314
0,283
Onlinecomponents.com
RFD3055LESM9A
4.600
100
Bulk
USD
0,536
0,314
0,283
Verical
4
RFD3055LESM9A
2.053
8
USD
0,363
0,355
0,306
0,255

Datenblätter und Dokumente

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Newark

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Upverter

Farnell

Fairchild Semiconductor

onsemi

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-21.00%
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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiRFD3055LESM9A
IntersilRFD3055LESM9A
Price @ 1000
$ 0.314
$ 0.283
Stock
880,313
19,407
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
DPAK
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
107 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
-
Power Dissipation
38 W
48 W
Input Capacitance
350 pF
-

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi RFD3055LESM9A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 11A, 107mΩ
onsemi
N-Channel 60 V 0.107 Ohm Surface Mount Logic Level Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:11mA; Package/Case:3-TO-251; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Newark
These N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are manufactured using the latest manufacturing process technology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA49158.
Fairchild Semiconductor

Bilder

element14 APAC
Augswan
TME
element14
RS
Farnell
Conrad
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • RFD3055LESM9A.