onsemi NVH4L020N120SC1
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Price @ 1000
$ 35.83
$ 24.226
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Stock
124,370
105,497
105,497
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-247
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1.2 kV
1.2 kV
1.2 kV
Continuous Drain Current (ID)
102 A
102 A
102 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
25 V
25 V
Power Dissipation
250 W
510 W
510 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-01-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVH4L020N120SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 1200V 102A 4-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 1200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 102A 20m´Î@20V60A 510W 2.7V@20mA 24pF@800V N Channel 2.943nF@800V 220nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 102A, TO-247-4; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:102A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:4Pins; Rds(on) Test Voltage:20V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)102 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation510 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time21.6 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen