onsemi NTH4L020N120SC1
$ 24.226
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 24.226
$ 35.83
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Stock
104,867
124,340
124,340
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
1.2 kV
1.2 kV
1.2 kV
Continuous Drain Current (ID)
102 A
102 A
102 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
-
-
Power Dissipation
510 W
250 W
250 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTH4L020N120SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 1200V 102A 4-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
SICFET N-CH 1200V 102A TO247 / N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 1200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 102A 20m´Î@20V60A 510W 2.7V@20mA 24pF@800V N Channel 2.943nF@800V 220nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 102A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:102A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:510W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L020N120SC1
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)102 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation510 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation510 W
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time21.6 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen