onsemi NVD6416ANT4G
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.553
Stock
143,635
253,325
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
17 A
19 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
81 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
71 W
-
Input Capacitance
620 pF
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVD6416ANT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 81mΩ Power MOSFET 100V 17A 81 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM
17 A 100 V 0.081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RES SMD 18.7K OHM 1% 1/16W 0402
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance81 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation71 W
Rds On Max81 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen