Vishay IRFR110PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
$ 0.349
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay IRFR110PBF herunter.

Newark

Datasheet13 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 14 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 11 Jahren

element14 APAC

element14

RS (Formerly Allied Electronics)

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+7.02%

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay IRFR110PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohm 8.3 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V , 5.5 A, 104 mΩ
onsemiFQD5P10TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay IRFR110PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.3A, D-PAK; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:4.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: No
MOSFET, N, 100V, 4.3A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:4.3A; Current Temperature:25°C; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; External Width:6.8mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:5°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:17A; SMD Marking:IRFR110; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR110PBF.