onsemi NVD5890NLT4G
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Obsolete
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NVD5890NLT4G | 5.000 | 19m | |||||||||
| Verical | NVD5890NLT4G | 5.000 | 342 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | NVD5890NLT4G | 0 | 10 | Bulk | 14h | |||||||
| Win Source | WS-NVD5890NLT4G | 6.370 | 115 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | NVD5890NLT4G | 8.014 | 7 | Tape & Reel | 1d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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$ 0.642
Stock
291,510
136,105
Authorized Distributors
3
4
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
123 A
123 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
3.7 mΩ
3.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
4 W
2.5 W
Input Capacitance
4.76 nF
4.76 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
onsemiNVD5890NT4G
4W(Ta),107W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1N 40V 3.7m¦¸@ 50A,10V 24A,123A 4.76nF@25V TO-252
International RectifierAUIRLR3114ZTRL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
STMicroelectronicsSTD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
VishaySUD50N04-8M8P-4GE3
SUD50N04-8M8P-4GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 40 V, 3-PIN TO-252
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVD5890NLT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK, Logic Level. T4G
Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
NVD5890NLT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 123 A, 40 V, 3-PIN DPAK
40 V, 3.7 MILLI OHM, 123 A, SINGLE N-CHANNEL DPAK POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 123A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)123 A
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.76 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation4 W
Rds On Max3.7 mΩ
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen