STMicroelectronics STD155N3H6
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-10-03
LTD Date2019-04-03
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD100N3LF3
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD70NS04ZL
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
onsemiNTD85N02RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD155N3H6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 30V, 80A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:80A; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.65 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant