onsemi NTR4503NT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTR4503NT1G | 601.000 | 12500 | 1d | ||||||||
| Newark | NTR4503NT1G | 2.842 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NTR4503NT1G | 27.000 | 3007 | |||||||||
| Future Electronics | NTR4503NT1G | 36.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Master Electronics | NTR4503NT1G | 22.250 | 250 |
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Stock
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691,870
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
1.5 A
1.5 A
Threshold Voltage
1.75 V
-
Rds On Max
110 mΩ
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
420 mW
730 mW
Input Capacitance
250 pF
250 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiNVTR4503NT1G
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Diodes Inc.DMP3160L-7
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Diodes Inc.DMN3200U-7
Single N-Channel 30 V 200 mOhm 650 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTR4503NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30 V 110 mOhm 0.42 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-23
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30V 1.5A 420mW 110m´Î@10V2.5A 3V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
30 V, 2.5 A, SOT-23 SINGLE N-CHANNEL, POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
N Channel Mosfet, 30V, 2.5A, Sot-23, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:2.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:730Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTR4503NT1G.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Current Rating2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage36 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance250 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation730 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.75 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation420 mW
Rds On Max110 mΩ
Resistance85 MΩ
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.75 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time5.8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen